Vishay General Semiconductor – Diodes Division / GB35XF120K
تصویر حوالہ کے لیے ہے، حقیقی تصویر حاصل کرنے کے لیے براہ کرم ہم سے رابطہ کریں۔
GB35XF120K
| مینوفیکچرر پارٹ نمبر: | GB35XF120K |
| کارخانہ دار: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| تفصیل کا حصہ: | IGBT MODULE 1200V 50A 284W |
| ڈیٹا شیٹ: | GB35XF120K ڈیٹا شیٹ |
| لیڈ فری اسٹیٹس / RoHS اسٹیٹس: | لیڈ فری / RoHS کمپلائنٹ |
| اسٹاک کی حالت: | اسٹاک میں |
| سے جہاز: | Hong Kong |
| ترسیل کا طریقہ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ریمارک
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division GB35XF120K chipnets.com پر دستیاب ہے۔ ہم صرف نیا اور اصل حصہ فروخت کرتے ہیں اور 1 سال کی وارنٹی ٹائم پیش کرتے ہیں۔ اگر آپ مصنوعات کے بارے میں مزید جاننا چاہتے ہیں یا مزید بہتر قیمت لگانا چاہتے ہیں، تو براہ کرم ہم سے رابطہ کریں آن لائن چیٹ پر کلک کریں یا ہمیں ایک اقتباس بھیجیں۔
ESD antistatic تحفظ کے ذریعہ تمام الیکٹرانکس اجزاء کو بہت محفوظ طریقے سے پیک کیا جائے گا۔
تفصیلات
| قسم | تفصیل |
|---|---|
| سیریز | - |
| پیکیج | - |
| حصہ کی حیثیت | Obsolete |
| آئی جی بی ٹی ٹائپ | NPT |
| تشکیل | Three Phase Inverter |
| وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ) | 1200 V |
| موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ) | 50 A |
| طاقت - زیادہ سے زیادہ | 284 W |
| Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic | 3V @ 15V, 50A |
| موجودہ - کلیکٹر کٹ آف (زیادہ سے زیادہ) | 100 µA |
| ان پٹ کیپسیٹنس (Cies) @ Vce | 3.475 nF @ 30 V |
| ان پٹ | Standard |
| این ٹی سی تھرمسٹٹر | No |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 150°C (TJ) |
| بڑھتے ہوئے قسم | Chassis Mount |
| پیکیج / کیس | ECONO2 |
| سپلائر ڈیوائس پیکیج | - |
اسٹاک کی حیثیت: اسی دن شپنگ
کم از کم: 1
| مقدار | اکائی قیمت | Ext. قیمت |
|---|---|---|
قیمت دستیاب نہیں ہے، براہ کرم RFQ |
||
فریٹ کا حساب کتاب
FedEx کی طرف سے US $40۔
3-5 دنوں میں پہنچیں۔
ایکسپریس:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ سے زیادہ کے آرڈر کے لیے پہلے 0.5 کلوگرام پر مفت شپنگ، زیادہ وزن الگ سے چارج کیا جائے گا۔
مشہور ماڈلز
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
کارٹ میں شامل کر دیا گیا!
یہ آئٹم آپ کی کارٹ میں شامل کر دی گئی ہے۔