Microsemi / 2N6849
تصویر حوالہ کے لیے ہے، حقیقی تصویر حاصل کرنے کے لیے براہ کرم ہم سے رابطہ کریں۔
2N6849
| مینوفیکچرر پارٹ نمبر: | 2N6849 |
| کارخانہ دار: | Microsemi |
| تفصیل کا حصہ: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| ڈیٹا شیٹ: | 2N6849 ڈیٹا شیٹ |
| لیڈ فری اسٹیٹس / RoHS اسٹیٹس: | لیڈ فری / RoHS کمپلائنٹ |
| اسٹاک کی حالت: | اسٹاک میں |
| سے جہاز: | Hong Kong |
| ترسیل کا طریقہ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ریمارک
- Microsemi 2N6849 chipnets.com پر دستیاب ہے۔ ہم صرف نیا اور اصل حصہ فروخت کرتے ہیں اور 1 سال کی وارنٹی ٹائم پیش کرتے ہیں۔ اگر آپ مصنوعات کے بارے میں مزید جاننا چاہتے ہیں یا مزید بہتر قیمت لگانا چاہتے ہیں، تو براہ کرم ہم سے رابطہ کریں آن لائن چیٹ پر کلک کریں یا ہمیں ایک اقتباس بھیجیں۔
ESD antistatic تحفظ کے ذریعہ تمام الیکٹرانکس اجزاء کو بہت محفوظ طریقے سے پیک کیا جائے گا۔
تفصیلات
| قسم | تفصیل |
|---|---|
| سیریز | - |
| پیکیج | Bulk |
| حصہ کی حیثیت | Obsolete |
| ایف ای ٹی کی قسم | P-Channel |
| ٹکنالوجی | MOSFET (Metal Oxide) |
| ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس) | 100 V |
| موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن) | 10V |
| آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID | 4V @ 250µA |
| گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (زیادہ سے زیادہ) | ±20V |
| ان پٹ کیپسیٹنس (سیس) (زیادہ سے زیادہ) @ وی ڈی ایس | - |
| ایف ای ٹی کی خصوصیت | - |
| بجلی کی خرابی (زیادہ سے زیادہ) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بڑھتے ہوئے قسم | Through Hole |
| سپلائر ڈیوائس پیکیج | TO-39 |
| پیکیج / کیس | TO-205AF Metal Can |
اسٹاک کی حیثیت: اسی دن شپنگ
کم از کم: 1
| مقدار | اکائی قیمت | Ext. قیمت |
|---|---|---|
قیمت دستیاب نہیں ہے، براہ کرم RFQ |
||
فریٹ کا حساب کتاب
FedEx کی طرف سے US $40۔
3-5 دنوں میں پہنچیں۔
ایکسپریس:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ سے زیادہ کے آرڈر کے لیے پہلے 0.5 کلوگرام پر مفت شپنگ، زیادہ وزن الگ سے چارج کیا جائے گا۔
کارٹ میں شامل کر دیا گیا!
یہ آئٹم آپ کی کارٹ میں شامل کر دی گئی ہے۔